刻(ke)(ke)蝕(shi)技術，是在(zai)(zai)半(ban)導體(ti)工藝(yi)，按(an)照掩模圖(tu)形(xing)(xing)或(huo)設(she)計要求對(dui)半(ban)導體(ti)襯(chen)底表(biao)面(mian)或(huo)表(biao)面(mian)覆蓋薄膜(mo)進行選擇性(xing)腐(fu)蝕(shi)或(huo)剝離的技術。刻(ke)(ke)蝕(shi)技術不僅是半(ban)導體(ti)器件和(he)(he)(he)集成(cheng)電路(lu)的基本制造工藝(yi)，而(er)且(qie)還(huan)應(ying)用(yong)于薄膜(mo)電路(lu)、印刷電路(lu)和(he)(he)(he)其他(ta)微(wei)細圖(tu)形(xing)(xing)的加工。刻(ke)(ke)蝕(shi)還(huan)可分(fen)為(wei)濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)和(he)(he)(he)干(gan)法刻(ke)(ke)蝕(shi)。普通的刻(ke)(ke)蝕(shi)過程(cheng)大致(zhi)如下(xia)：先在(zai)(zai)表(biao)面(mian)涂敷一(yi)層光致(zhi)抗蝕(shi)劑，然后(hou)透過掩模對(dui)抗蝕(shi)劑層進行選擇性(xing)曝(pu)光，由(you)于抗蝕(shi)劑層的已曝(pu)光部分(fen)和(he)(he)(he)未(wei)曝(pu)光部分(fen)在(zai)(zai)顯影(ying)液中溶解速度不同，經過顯影(ying)后(hou)在(zai)(zai)襯(chen)底表(biao)面(mian)留下(xia)了抗蝕(shi)劑圖(tu)形(xing)(xing)，以(yi)(yi)此為(wei)掩模就可對(dui)襯(chen)底表(biao)面(mian)進行選擇性(xing)腐(fu)蝕(shi)。如果襯(chen)底表(biao)面(mian)存(cun)在(zai)(zai)介(jie)質或(huo)金屬(shu)層，則選擇腐(fu)蝕(shi)以(yi)(yi)后(hou)，圖(tu)形(xing)(xing)就轉移到介(jie)質或(huo)金屬(shu)層上。離子轟(hong)擊可以(yi)(yi)改善化學刻(ke)(ke)蝕(shi)作用(yong)，使反應(ying)元素(su)與硅表(biao)面(mian)物(wu)質反應(ying)效(xiao)率更高。嘉興ICP刻(ke)(ke)蝕(shi)

濕法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)是(shi)化(hua)(hua)學(xue)清(qing)洗(xi)方(fang)法(fa)(fa)(fa)中(zhong)(zhong)的(de)(de)一(yi)種，化(hua)(hua)學(xue)清(qing)洗(xi)在(zai)(zai)半(ban)導體制造(zao)行業中(zhong)(zhong)的(de)(de)應用，是(shi)用化(hua)(hua)學(xue)方(fang)法(fa)(fa)(fa)有(you)選(xuan)擇地從硅(gui)(gui)(gui)片(pian)表面去(qu)除不需要材料的(de)(de)過(guo)程(cheng)。其基(ji)本目的(de)(de)是(shi)在(zai)(zai)涂(tu)膠(jiao)的(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)上正確地復(fu)制掩(yan)膜圖形(xing)(xing)，有(you)圖形(xing)(xing)的(de)(de)光刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)層在(zai)(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)中(zhong)(zhong)不受(shou)到(dao)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)源明顯(xian)的(de)(de)侵蝕(shi)(shi)(shi)，這層掩(yan)蔽膜用來在(zai)(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)中(zhong)(zhong)保護硅(gui)(gui)(gui)片(pian)上的(de)(de)特(te)殊(shu)區(qu)域(yu)(yu)而選(xuan)擇性地刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)掉未(wei)被光刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)保護的(de)(de)區(qu)域(yu)(yu)。從半(ban)導體制造(zao)業一(yi)開始(shi)，濕法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)就(jiu)與(yu)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)制造(zao)聯系在(zai)(zai)一(yi)起。雖然濕法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)已經逐步開始(shi)被法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)所(suo)取代，但它在(zai)(zai)漂去(qu)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、去(qu)除殘留物、表層剝(bo)離(li)以(yi)及大尺寸圖形(xing)(xing)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)應用等方(fang)面仍(reng)然起著重(zhong)要的(de)(de)作(zuo)用。與(yu)干法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)相(xiang)比(bi)，濕法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)的(de)(de)好處在(zai)(zai)于對(dui)下層材料具有(you)高的(de)(de)選(xuan)擇比(bi)，對(dui)器(qi)件不會帶來等離(li)子體損(sun)傷，并且(qie)設備簡(jian)單。杭州(zhou)干法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)干法(fa)(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)優點是(shi)：處理過(guo)程(cheng)未(wei)引入污染。

工藝(yi)所用化(hua)學物(wu)質(zhi)(zhi)取決于要(yao)(yao)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)薄膜型號。介電刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)應用中(zhong)(zhong)(zhong)通常(chang)使(shi)用含氟(fu)的(de)(de)(de)化(hua)學物(wu)質(zhi)(zhi)。硅和金屬刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)使(shi)用含氯成(cheng)分(fen)的(de)(de)(de)化(hua)學物(wu)質(zhi)(zhi)。在工藝(yi)中(zhong)(zhong)(zhong)可能會對(dui)一(yi)個(ge)(ge)薄膜層(ceng)(ceng)或(huo)多個(ge)(ge)薄膜層(ceng)(ceng)執行特定(ding)的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)步驟。當需要(yao)(yao)處理多層(ceng)(ceng)薄膜時，以及刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)必(bi)須停(ting)在某個(ge)(ge)特定(ding)薄膜層(ceng)(ceng)而不(bu)對(dui)其(qi)造成(cheng)損傷時，刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)工藝(yi)的(de)(de)(de)選(xuan)擇(ze)(ze)比就(jiu)變得非(fei)常(chang)重要(yao)(yao)。選(xuan)擇(ze)(ze)比是兩(liang)個(ge)(ge)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)速率的(de)(de)(de)比率：被去除層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)速率與被保(bao)護層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)速率（例(li)如刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)掩膜或(huo)終止層(ceng)(ceng)）。掩模或(huo)停(ting)止層(ceng)(ceng)）通常(chang)都(dou)希(xi)望有更高的(de)(de)(de)選(xuan)擇(ze)(ze)比。MEMS材料刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)價格在硅材料刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)當中(zhong)(zhong)(zhong)，硅針的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)需要(yao)(yao)用到(dao)各(ge)向同性刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)，硅柱的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)需要(yao)(yao)用到(dao)各(ge)項異(yi)性刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)。

二氧化(hua)硅(gui)(gui)濕(shi)法刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)：較普通的(de)(de)(de)(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)層是熱氧化(hua)形成的(de)(de)(de)(de)二氧化(hua)硅(gui)(gui)。基本的(de)(de)(de)(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑是氫(qing)氟(fu)酸，它有(you)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)二氧化(hua)硅(gui)(gui)而不(bu)(bu)傷及(ji)(ji)硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)優點(dian)。然(ran)而，飽和濃度的(de)(de)(de)(de)氫(qing)氟(fu)酸在(zai)室溫下的(de)(de)(de)(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)速率約為300A/s。這個(ge)速率對于(yu)一(yi)(yi)(yi)個(ge)要求(qiu)控(kong)制的(de)(de)(de)(de)工藝來(lai)說(shuo)太快了。在(zai)實際(ji)中，氫(qing)氟(fu)酸與水(shui)或氟(fu)化(hua)銨及(ji)(ji)水(shui)混合。以(yi)氟(fu)化(hua)銨來(lai)緩沖(chong)加(jia)速刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)速率的(de)(de)(de)(de)氫(qing)離子的(de)(de)(de)(de)產生。這種(zhong)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)溶液稱為緩沖(chong)氧化(hua)物刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)或BOE。針對特定的(de)(de)(de)(de)氧化(hua)層厚(hou)度，他們(men)以(yi)不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)(de)濃度混合來(lai)達到合理的(de)(de)(de)(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)時間。一(yi)(yi)(yi)些BOE公式包括一(yi)(yi)(yi)個(ge)濕(shi)化(hua)劑用(yong)以(yi)減(jian)小(xiao)(xiao)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)表面的(de)(de)(de)(de)張力，以(yi)使(shi)其均勻(yun)地進入(ru)更小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)開孔區。按材料來(lai)分(fen)，刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)主要分(fen)成3種(zhong)：金屬刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)、介質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)、和硅(gui)(gui)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)。

干刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)是一類較新(xin)型(xing)，但迅速為半(ban)導體(ti)(ti)工(gong)業(ye)所采(cai)用(yong)(yong)的(de)技術，GaN材料(liao)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)工(gong)藝。其(qi)利用(yong)(yong)電漿來(lai)(lai)進(jin)行半(ban)導體(ti)(ti)薄膜材料(liao)的(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)加工(gong)。其(qi)中電漿必須在真空度約10至(zhi)0.001Torr的(de)環境(jing)下，才有可(ke)能被激發出(chu)(chu)來(lai)(lai)；而(er)干刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)采(cai)用(yong)(yong)的(de)氣(qi)體(ti)(ti)，或轟(hong)擊(ji)質量頗巨，或化(hua)學(xue)活性極高，均(jun)能達成(cheng)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)目的(de)，GaN材料(liao)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)工(gong)藝。干刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)基(ji)本(ben)上包括離(li)子(zi)(zi)(zi)轟(hong)擊(ji)與化(hua)學(xue)反(fan)應兩部份刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)機制(zhi)。偏(pian)(pian)「離(li)子(zi)(zi)(zi)轟(hong)擊(ji)」效應者(zhe)使用(yong)(yong)氬氣(qi)(argon)，加工(gong)出(chu)(chu)來(lai)(lai)之邊緣側向(xiang)(xiang)侵蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)現(xian)象(xiang)極微。而(er)偏(pian)(pian)化(hua)學(xue)反(fan)應效應者(zhe)則采(cai)氟(fu)系(xi)或氯系(xi)氣(qi)體(ti)(ti)(如四氟(fu)化(hua)碳(tan)CF4)，經激發出(chu)(chu)來(lai)(lai)的(de)電漿，即(ji)帶有氟(fu)或氯之離(li)子(zi)(zi)(zi)團(tuan)，可(ke)快(kuai)速與芯片表(biao)面材質反(fan)應。刪轎厚干刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)法可(ke)直(zhi)接利用(yong)(yong)光阻作刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)之阻絕(jue)遮幕，不必另行成(cheng)長(chang)阻絕(jue)遮幕之半(ban)導體(ti)(ti)材料(liao)。而(er)其(qi)較重要的(de)優點，能兼(jian)顧邊緣側向(xiang)(xiang)侵蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)現(xian)象(xiang)極微與高刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)率兩種(zhong)優點，換(huan)言(yan)之，本(ben)技術中所謂活性離(li)子(zi)(zi)(zi)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)已足敷頁(ye)堡(bao)局(ju)滲次微米線寬(kuan)制(zhi)程(cheng)技術的(de)要求，而(er)正被大量使用(yong)(yong)。物理(li)(li)和(he)化(hua)學(xue)綜合作用(yong)(yong)機理(li)(li)中，離(li)子(zi)(zi)(zi)轟(hong)擊(ji)的(de)物理(li)(li)過程(cheng)可(ke)以通(tong)過濺(jian)射去(qu)除表(biao)面材料(liao)，具有比(bi)較強的(de)方向(xiang)(xiang)性。溫(wen)州反(fan)應離(li)子(zi)(zi)(zi)束刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)

干(gan)刻(ke)蝕(shi)基本上包括離子轟擊與化(hua)學反應兩部份刻(ke)蝕(shi)機(ji)制(zhi)。嘉興ICP刻(ke)蝕(shi)

在微細加工(gong)中(zhong)，刻(ke)蝕(shi)(shi)和(he)清洗(xi)處(chu)理過程包括(kuo)許(xu)多內容(rong)。對(dui)于(yu)(yu)適當取向的(de)半導(dao)體(ti)(ti)薄片的(de)鋸痕首先要(yao)機(ji)械(xie)拋光(guang)，除(chu)去全(quan)部的(de)機(ji)械(xie)損(sun)傷(shang)，之后(hou)(hou)進行化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)刻(ke)蝕(shi)(shi)和(he)拋光(guang)，以(yi)獲得無損(sun)傷(shang)的(de)光(guang)學(xue)(xue)(xue)平面。這種工(gong)藝往往能(neng)去除(chu)以(yi)微米級計算(suan)的(de)材料(liao)表(biao)層(ceng)。對(dui)薄片進行化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)清洗(xi)和(he)洗(xi)滌，可以(yi)除(chu)去因(yin)操作和(he)貯存(cun)而產生的(de)污染，然后(hou)(hou)用熱處(chu)理的(de)方法生長Si0(對(dui)于(yu)(yu)硅(gui)(gui)基集(ji)成電路(lu))，或者(zhe)沉積氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(對(dui)于(yu)(yu)砷化(hua)(hua)鎵電路(lu))，以(yi)形成初(chu)始保護層(ceng)。刻(ke)蝕(shi)(shi)過程和(he)圖案(an)的(de)形成相配合。廣東(dong)省(sheng)科學(xue)(xue)(xue)院(yuan)半導(dao)體(ti)(ti)研究所。半導(dao)體(ti)(ti)材料(liao)刻(ke)蝕(shi)(shi)加工(gong)廠等離(li)子(zi)體(ti)(ti)刻(ke)蝕(shi)(shi)機(ji)要(yao)求相同的(de)元素(su)：化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)刻(ke)蝕(shi)(shi)劑(ji)和(he)能(neng)量源。嘉興ICP刻(ke)蝕(shi)(shi)

廣東(dong)省科學(xue)院(yuan)半導(dao)(dao)體研(yan)(yan)究所(suo)成立于(yu)(yu)2016-04-07，是一家專注于(yu)(yu)微(wei)納(na)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)膜技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，紫外(wai)光刻(ke)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，材(cai)料刻(ke)蝕技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)高新技(ji)(ji)術(shu)(shu)企業，公(gong)司(si)(si)位于(yu)(yu)長興路363號(hao)。公(gong)司(si)(si)經常與行(xing)業內技(ji)(ji)術(shu)(shu)專家交(jiao)流學(xue)習，研(yan)(yan)發出更好的(de)(de)(de)(de)(de)產品(pin)給(gei)用戶(hu)使用。公(gong)司(si)(si)主要經營(ying)微(wei)納(na)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)膜技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，紫外(wai)光刻(ke)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，材(cai)料刻(ke)蝕技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)等產品(pin)，我們依托高素(su)質的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術(shu)(shu)人員和(he)銷售隊伍，本著誠信經營(ying)、理解客戶(hu)需(xu)求為(wei)經營(ying)原(yuan)則，公(gong)司(si)(si)通過良(liang)好的(de)(de)(de)(de)(de)信譽和(he)周到的(de)(de)(de)(de)(de)售前、售后服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，贏得(de)用戶(hu)的(de)(de)(de)(de)(de)信賴和(he)支持。公(gong)司(si)(si)與行(xing)業上(shang)下游(you)之間(jian)建(jian)立了(le)長久(jiu)親密的(de)(de)(de)(de)(de)合(he)作(zuo)關系，確保微(wei)納(na)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)膜技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，紫外(wai)光刻(ke)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，材(cai)料刻(ke)蝕技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)在技(ji)(ji)術(shu)(shu)上(shang)與行(xing)業內保持同步。產品(pin)質量按照行(xing)業標(biao)準進行(xing)研(yan)(yan)發生產，絕不因價格而放棄質量和(he)聲譽。廣東(dong)省科學(xue)院(yuan)半導(dao)(dao)體研(yan)(yan)究所(suo)以誠信為(wei)原(yuan)則，以安全、便利為(wei)基礎，以優惠(hui)價格為(wei)微(wei)納(na)加(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)膜技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，紫外(wai)光刻(ke)技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，材(cai)料刻(ke)蝕技(ji)(ji)術(shu)(shu)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)客戶(hu)提供貼心(xin)服(fu)(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)，努(nu)力贏得(de)客戶(hu)的(de)(de)(de)(de)(de)認可和(he)支持，歡迎新老客戶(hu)來(lai)我們公(gong)司(si)(si)參觀(guan)。

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